三星電子今天宣布，已經開始大批量生產基于第二代10納米(nm)FinFET工藝技術10LPP的片上系統(SoC)產品。
三星稱，與第一代10nm工藝技術10LPE(低功耗早期)相比，10LPP工藝技術可使性能提高10%，功耗降低15%。由于該工藝源于已經證實的10LPE技術，因此可大幅縮短從開發到批量生產的周轉時間，并提供更高的初始生產良率，從而具有競爭優勢。
采用10LPP工藝技術設計的SoC將用于計劃于明年年初推出的電子設備。三星電子代工市場營銷副總裁Ryan Lee表示：“通過從10LPE向10LPP的過渡，我們將能夠更好地為客戶提供服務，同時提高性能，提高初始產量。”
三星電子還宣布，位于韓國華城的最新生產線S3正準備加速生產10納米及以下工藝技術。S3是三星代工業務的第三家晶圓廠，其它兩家分別是位于韓國Giheung的S1和位于美國奧斯汀的S2。三星的7nm FinFET工藝技術與EUV(Extreme Ultra Violet)也將在S3大批量生產。
